为什么内存涨得那么快,背后又有什么秘密?

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易失性存储器(RAM),即内存
非易失性存储器(ROM),即硬盘(包括机械硬盘、固态硬盘、闪存等)

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三星电子
SK 海力士
英特尔
镁光科技
东芝半导体

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MRAM,磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory),主要玩家是三星和台积电,这种内存使用寿命更长,芯片面积更小,反应速度更快,因此被业内视为最有可能取代 DRAM 的技术
RRAM,可变电阻式内存(Resistive random-access memory),英特尔和镁光共同研发的「3D Xpoint」就属于这种,写入速度比 NAND 闪存快一万倍,比 DRAM 快 10 倍